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會員注冊- 2016/11/3半導體的光電效應
- 半導體材料的光電效應是指如下情況：光照射到半導體的P-N結上，若光子能量足夠大，則半導體材料中價帶的電子吸收光子的能量，從價帶越過禁帶到達導帶，在導帶中出現光電子，在價帶中出現光空穴，即光電子．空穴對[閱讀全文]
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- 2016/10/19二極管的電容效應
- 二極管具有電容效應。它的電容包括勢壘電容CB和擴散電容CD。1．勢壘電容CB（Cr）前面已經講過，PN結內缺少導電的載流子，其電導率很低，相當于介質；而PN結兩側的P區、N區的電導率高，相當于金屬導體。從這一結構來 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19二極管的恒壓降模型
- 二極管的恒壓降模型及代表符號如圖所示。該模型建立的基本思想是當二極管導通后，其管壓降可認為是恒定的，不隨電流而變，且導通電壓的典型值為0.7V（硅管）。此模型只有當二極管的電流 iD近似等于或大于1mA時才是正確的。該模型提供 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19半導體二極管的伏安特性曲線
- 半導體二極管的伏安特性曲線，半導體二極管的伏安特性曲線如圖1所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線，處于第三象限的是反向伏安特性曲線。[閱讀全文]
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- 2016/10/19半導體的導電原理
- 半導體的導電原理 不含雜質的半導體稱為本征半導體。半導體硅和鍺的最外層電子有四個，故而稱它為四價元素，每一個外層電子稱為價電子。為了處于穩定狀態，單晶硅和單晶鍺中的每個原子的四個價電子都要和相鄰原子的 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19本征半導體中的兩種載流子
- 本征激發在室溫下，本征半導體共價鍵中的價電子獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛進入導帶，成為自由電子，在晶體中產生電子-空穴對的現象稱為本征激發。 空穴在本征激發中，價電子成為自由電子后共價鍵上留下空位，這個空位稱為空穴 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/14PN結的工作特性(一)
- [閱讀全文]
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- 2016/10/11半導體的共價鍵結構
- 在電子器件中，用得最多的半導體材料是硅和鍺，它們的簡化原子模型如下圖a所示。硅和鍺都是四價元素，在其最外層原子軌道上具有四個電子，稱為價電子。由于原子呈中性，故在圖中原子核用帶圓圈的+4符號表示。半導體與金屬和許多絕緣 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/11半導體二極管的結構和類型
- 1．結構: 半導體二極管是由一個PN結及它所在的半導體再加上電極引線和管殼構成。 2．類型: 按材料分類： 硅管，鍺管按結構分類： 點接觸型 面接觸型 硅平面型 按用途分類：普通二極管，整流二極管，開關二極管，穩壓二極管等3. 特 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/11本征半導體與雜質半導體的導電特性
- 按導電性能分，可分為導體、絕緣體和半導體。自然界中很容易導電的物質稱為導體，金屬一般都是導體。有的物質幾乎不導電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。有另一類物質的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/11半導體中的兩種載流子-電子和空穴是如何產生和運動的？
- 半導體中的兩種載流子-電子和空穴是如何產生和運動的？由原子結構理論可知，硅元素單晶體的原子結構都是排列成非常整齊的共價鍵結構，如圖1所示。 圖1 硅原子單晶體的共價鍵結構 圖中，硅原子外層的四個電子分別與四周相遴的硅原子中的一個電子形成共價鍵，該電子既圍繞[閱讀全文]
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- 2016/10/11P型半導體和N型半導體
- 由于純凈的半導體導電性較差，不能直接用來制造晶體管。于是，人們在純凈的半導體中摻入微量雜質元素，使半導體的導電性能大大增強，這種半導體稱為雜質半導體。根據摻入雜質性質的不同，雜質半導體可分為， P型,N型[閱讀全文]
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