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會(huì)員注冊(cè)- 2018/4/25什么是空穴?半導(dǎo)體技術(shù)
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- 來(lái)源：本站原創(chuàng)作者：佚名點(diǎn)擊數(shù)：5510
- 2017/7/12圖解三極管的基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)
- 把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。 實(shí)質(zhì):用一個(gè)微小電流的變化去控制一個(gè)較大電流的變化。 三極管放大的外部條件：發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏 從電位的角度 ...[閱讀全文]
- 來(lái)源：本站原創(chuàng)作者：佚名點(diǎn)擊數(shù)：2095
- 2017/7/12圖示三極管的伏安特性曲線
- 三極管的伏安特性曲線可由共射接法的輸入特性曲線和輸出特性曲線來(lái)說(shuō)明： 1. 輸入特性曲線 是指當(dāng) U CE 不變時(shí)，輸入電壓 U BE 和輸入電流 I B 之間的關(guān)系曲線，如圖1.6所示。[閱讀全文]
- 來(lái)源：本站原創(chuàng)作者：佚名點(diǎn)擊數(shù)：2483
- 2017/4/29CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理，三態(tài)門之高阻態(tài)的理解
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- 來(lái)源：本站原創(chuàng)作者：佚名點(diǎn)擊數(shù)：2249
- 2016/11/17半導(dǎo)體的基本知識(shí)
- 按照導(dǎo)電能力的大小可以分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)電能力用電阻率衡量。[閱讀全文]
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- 2016/11/17什么是本征半導(dǎo)體?本征半導(dǎo)體載流子濃度
- 通過(guò)一定的工藝過(guò)程，可以將半導(dǎo)體制成晶體。完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。 1、本征半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu) 在硅和鍺晶體中，原子在空間形成規(guī)則的晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體[閱讀全文]
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- 2016/11/3二極管的理想模型
- 理想二極管的V–I 特性如圖(a)藍(lán)色線所示，虛線表示實(shí)際二極管的V–I 特性。[閱讀全文]
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- 2016/11/3二極管的V-I特性
- 半導(dǎo)體二極管的V–I 特性如圖所示。下面對(duì)V–I 特性分三部分加以說(shuō)明。 二極管的V–I 特性曲線1．正向特性 正向特性表現(xiàn)為圖中的①段。此時(shí)正向電壓較小，正向電流幾乎為零。此工作區(qū)域稱為死區(qū)。[閱讀全文]
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- 2016/11/3二極管的小信號(hào)模型
- 二極管的小信號(hào)模型：二極管小信號(hào)模型如圖(b)所示。如果二極管在圖（a）中的靜態(tài)工作點(diǎn)Q（vD=VD，iD=ID）附近工作，則可把V-I 特性看成為一條直線，其斜率的倒數(shù)就是所要求的小信號(hào)模型的微變電阻rd， rd=dvD/diD[閱讀全文]
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- 2016/11/3半導(dǎo)體二極管的開(kāi)關(guān)特性
- 因?yàn)榘雽?dǎo)體二極管具有單向?qū)щ娦裕运喈?dāng)于一個(gè)受外加電壓極性控制的開(kāi)關(guān)。 (a) 開(kāi)關(guān)電路 (b)輸入高電平時(shí)的等效電路 (c)輸入低電平時(shí)的等效電路 圖1 二極管靜態(tài)開(kāi)關(guān)電路及其等效電路 二極管動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性。[閱讀全文]
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- 2016/11/3半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)特性
- 數(shù)字電路中的晶體二極管、晶體三極管（簡(jiǎn)稱BJT）和MOS管等器件一般是以開(kāi)關(guān)方式運(yùn)用的。[閱讀全文]
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- 2016/11/3半導(dǎo)體的光電效應(yīng)
- 半導(dǎo)體材料的光電效應(yīng)是指如下情況：光照射到半導(dǎo)體的P-N結(jié)上，若光子能量足夠大，則半導(dǎo)體材料中價(jià)帶的電子吸收光子的能量，從價(jià)帶越過(guò)禁帶到達(dá)導(dǎo)帶，在導(dǎo)帶中出現(xiàn)光電子，在價(jià)帶中出現(xiàn)光空穴，即光電子．空穴對(duì)[閱讀全文]
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- 2016/10/19二極管的電容效應(yīng)
- 二極管具有電容效應(yīng)。它的電容包括勢(shì)壘電容CB和擴(kuò)散電容CD。1．勢(shì)壘電容CB（Cr）前面已經(jīng)講過(guò)，PN結(jié)內(nèi)缺少導(dǎo)電的載流子，其電導(dǎo)率很低，相當(dāng)于介質(zhì)；而PN結(jié)兩側(cè)的P區(qū)、N區(qū)的電導(dǎo)率高，相當(dāng)于金屬導(dǎo)體。從這一結(jié)構(gòu)來(lái) ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19二極管的恒壓降模型
- 二極管的恒壓降模型及代表符號(hào)如圖所示。該模型建立的基本思想是當(dāng)二極管導(dǎo)通后，其管壓降可認(rèn)為是恒定的，不隨電流而變，且導(dǎo)通電壓的典型值為0.7V（硅管）。此模型只有當(dāng)二極管的電流 iD近似等于或大于1mA時(shí)才是正確的。該模型提供 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線
- 半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線，半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線如圖1所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線，處于第三象限的是反向伏安特性曲線。[閱讀全文]
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- 2016/10/19半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理
- 半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理 不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體硅和鍺的最外層電子有四個(gè)，故而稱它為四價(jià)元素，每一個(gè)外層電子稱為價(jià)電子。為了處于穩(wěn)定狀態(tài)，單晶硅和單晶鍺中的每個(gè)原子的四個(gè)價(jià)電子都要和相鄰原子的 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/19本征半導(dǎo)體中的兩種載流子
- 本征激發(fā)在室溫下，本征半導(dǎo)體共價(jià)鍵中的價(jià)電子獲得足夠的能量，掙脫共價(jià)鍵的束縛進(jìn)入導(dǎo)帶，成為自由電子，在晶體中產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。 空穴在本征激發(fā)中，價(jià)電子成為自由電子后共價(jià)鍵上留下空位，這個(gè)空位稱為空穴 ...[閱讀全文]
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- 2016/10/14PN結(jié)的工作特性(一)
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- 來(lái)源：本站原創(chuàng)作者：佚名點(diǎn)擊數(shù)：1612
- 2016/10/14半導(dǎo)體二極管(一)
- 半導(dǎo)體二極管是由一個(gè)PN結(jié)，加下兩根電極引線和管殼制成的。二極管的符號(hào)如圖4所示。[閱讀全文]
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- 2016/10/14半導(dǎo)體與PN結(jié)
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