賽貝克效應是指由于兩種不同電導體或半導體的溫度差異而引起兩種物質間的電壓差的熱電現象。

賽貝克效應的原理可以簡單解釋為：在兩種金屬組成的回路中，如果兩個接觸點的溫度不同，則在回路中將出現電流，稱為熱電流�叀Ｍ瑫r在該電勢差作用下產生一個反向電荷流，當熱運動的電荷流與內部電場達到動態平衡時，半導體兩端形成穩定的溫差電動勢。

賽貝克效應在生活中有諸多應用，例如利用它可制成溫差電偶（熱電偶）來測量溫度，熱電偶溫度計可以測量從-180℃到+2800℃的溫度范圍。此外，熱電制冷也是利用熱電效應的一種制冷方法，其理論基礎就是固體的熱電效應。

 
塞貝克效應的物理本質是由于兩種不同電導體或半導體的溫度差異而引起兩種物質間的電壓差的熱電現象。

塞貝克效應，‌也稱為第一熱電效應，‌是基于熱電效應的一種現象，其中當兩種不同材料的接觸點處于不同溫度下時，‌它們之間會形成一個溫度梯度。‌如果這兩個材料具有不同的熱電導率和電子遷移率，那么在接觸點附近就會產生一個電勢差。‌這種電勢差的形成可以簡單解釋為在溫度梯度下導體內的載流子從熱端向冷端運動，‌并在冷端堆積，‌從而在材料內部形成電勢差。‌同時，‌在該電勢差作用下產生一個反向電荷流，‌當熱運動的電荷流與內部電場達到動態平衡時，‌半導體兩端形成穩定的溫差電動勢。半導體的溫差電動勢較大，‌可用作溫差發電器。‌

 塞貝克效應的成因可以進一步解釋為在溫度梯度下，‌導體內的載流子從熱端向冷端運動，‌并在冷端堆積，從而在材料內部形成電勢差。‌這種電勢差可以通過連接導線來測量和利用。‌不同材料的賽貝克系數是一個重要參數，‌它描述了單位溫度差異下產生的電勢差大小。‌

塞貝克效應不僅在基礎物理研究中具有重要意義，其應用價值也備受關注，特別是在熱電材料的應用方面。‌塞貝克效應的物理本質不僅解釋了熱電現象的基本原理，也為熱電轉換技術、‌溫度測量、‌節能應用、‌熱電制冷以及材料分析等領域提供了理論基礎和技術支持。‌

Peltier效應
Peltier效應�叄�也稱為帕爾帖效應�叄�是一種電熱轉換效應，當電流通過由兩種不同導體組成的回路時，除了產生焦耳熱外，還會在不同導體的接頭處出現吸熱或放熱的現象。 這個效應是法國物理學家Jean-Charles Athanase Peltier�呍�1834年發現的。具體來說，當電流從一個導體流向另一個時，一個接頭會放熱，而另一個接頭會吸熱。這種效應在半導體材料�呏斜憩F得尤為明顯，被廣泛應用于半導體制冷技術�呏小＠�如，半導體制冷片�吚�用Peltier效應進行制冷，其中一個接頭會放熱，而另一個則吸熱，從而實現制冷效果。此外，Peltier效應與Seebeck效應�叄�溫差電效應�叄┟芮邢嚓P，后者描述的是溫度差異在兩種不同導體間產生電勢差的現象，而Peltier效應則是其逆過程，即電流通過不同導體時產生溫度差異的現象。

半導體制冷片的溫差通常在20-70℃之間。
一、半導體制冷片的工作原理
半導體制冷片是利用半導體材料的熱電效應(帕爾帖效應)來實現制冷的一種技術。當電流通過半導體材料時，會在不同溫度下產生熱電效應，使得材料一側產生冷卻效應，另一側則產生加熱效應，在此基礎上可以實現制冷。半導體制冷片制冷過程不需要任何制冷劑，也沒有機械運動部件，因此具有體積小、重量輕、可靠性高等優點。
二、半導體制冷片溫差的計算方式
半導體制冷片的溫差是指冷側溫度和熱側溫度之間的差值。通常，半導體制冷片的溫差在20-70℃之間。具體的溫差大小取決于多方面因素，如半導體材料的性能、電源輸入電壓、散熱器的散熱能力等。一般來說，制冷片廠家會根據實際應用需求提供相應的溫差值和制冷能力。